摘要：碳化硅（SiC）由于其优异的电学及热学特性而成为一种很有发展前途的宽禁带半导体材料。SiC材料制作的功率MOSFET很适合在大功率领域中使用，高温栅氧的可靠性是大功率MOSFET中最应注意的性能。

本文通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiCMOSFET和国外同规格SiCMOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温栅偏试验结果显示自研SiCMOSFET与国外SiCMOSFET的阈值电压偏移量基本相等，阈值电压偏移量百分比最大相差在4.52%左右。正压高温栅偏试验的结果显示自研SiCMOSFET的阈值电压偏移量较小，与国外SiCMOSFET相比，自研SiCMOSFET的阈值电压偏移量百分比最大相差11%。自研器件之所以占主导地位，是因为SiC/SiO2接口中引入适量氮元素钝化接口缺陷，同时降低快接口态生成，从而使得整个接口态密度最小。

引言：SiC是一种非常优秀的半导体材料，拥有优良的物理和电学特性。SiC材料与Si材料相比具有禁带宽度更宽、临界击穿场强更大、电子饱和漂移速度更快等优点[1]。与Si器件相比，SiC器件具有更低的导通电阻、更高的开关频率，这使得SiC器件的导通损耗更小，装置体积可以做的更小，此外SiC器件还具有更好的耐高温、抗辐射性能[2]。

随着半导体技术的不断发展,Si基功率半导体器件已经接近了它的物理极限,SiC功率器件在轨道交通，智能汽车，开关电源以及工业电机等方面都有了迅速的发展与应用[3]。SiC功率器件中SiC功率MOSFET开关一直是国内外产业界与学术界

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